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东莞记忆存储取得NAND走线分段阻抗结构,使读写性能更为均衡:读写
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金融界2025年7月30日消息,国家知识信息显示,东莞记忆存储科技有限公司取得一项名为“一种NAND走线分段阻抗结构”的,授权公告号CN223167100U,申请日期为2024年09月读写。摘要显
2025-10-01
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