金融界 2025 年 4 月 18 日消息，国家知识信息显示，浙江力积存储科技有限公司申请一项名为“6942.DRAM 读写时序调整电路和 DRAM”的，公开号 CN119811448A，申请日期为 2025 年 3 月读写。
摘要显示，本公开实施例提供的 DRAM 读写时序调整电路和 DRAM，包括：测试模式控制信号生成模块、延时模块和调整模块；测试模式控制信号生成模块，获取与控制信号对应的测试编码信号，并在测试编码信号的目标编码位的编码值为预设编码值时，根据测试编码信号生成与控制信号对应的测试模式控制信号，控制信号为 DRAM 中使得读写时序出错的控制信号；延时模块，接收控制信号，并将控制信号延时预设时长后生成延时控制信号；调整模块，根据测试模式控制信号、控制信号和延时控制信号，生成目标控制信号，目标控制信号的脉冲宽度大于或小于控制信号的脉冲宽度读写。使得 DRAM 读写过程的时序满足规定的时序，避免存储单元的读写数据出错。
天眼查资料显示，浙江力积存储科技有限公司，成立于2020年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业读写。企业注册资本2195.603431万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江力积存储科技有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息21条，信息67条。
来源：金融界